淮安台达变频器过流维修：C200主要参数
⑴在截止状态时
①击穿电压Uceo和Ucex：能使集电极C和发射极E之间击穿的普通小电压。淮安台达变频器过流维修：C200基极B开路是用 Uceo表示，B、E间接入反向偏压时用Ucex表示。在大多数情况下，这两个数据是相等的。
②漏电流Iceo 和 Icex：截止状态下，从C极流向E极的电流。淮安台达变频器过流维修：C200B极开路时为Iceo，B、E间反偏时为 Icex。
⑵在饱和状态时
① 集电极普通大电流Icm：GTR饱和导通是的普通大允许电流。
② 饱和压降Uces：当GTR饱和导通时，C、E间的电压降。
⑶在开关过程中
① 开通时间Ton：从B极通入正向信号电流时起，到集电极电流上升到0.9 Ics 所需要的时间。
② 关断时间Toff：从基极电流撤消时起，至Ic下降至0.1 Ics 所需的时间
开通时间和关断时间将直接影响到SPWM调制是的载波频率。通常，淮安台达变频器过流维修：C200使用GTR做逆变管时的载波频率底于2KHz。
4.变频器用GTR的选用
⑴Uceo 通常按电源线电压U峰值的2倍来选择。
Uceo≥2厂2U 在电源电压为380V的变频器中，应有 Uceo≥2厂2U*380V=1074.8V，故选用Uceo=1200V的GTR是适宜的。
⑵Icm 按额定电流In峰值的2倍来选择 Icm≥2厂2 In GTR是用电流信号进行驱动的，所需驱动功率较大，故基极驱动系统比较复杂，并使工作频率难以提高，这是其不足之处。一版我告诉大家的是MOSFET以及IGBT
1、 功率场效应晶体管（POWER MOSFET） 它的3个极分别是源极S、漏极D和栅极G
其工作特点是，G、S间的控制信号是电压信号Ugs。改变Ugs的大小，主电路的漏极电流Id也跟着改变。由于G、S间的输入阻抗很大，故控制电流几乎为0，所需驱动功率很小。和GTR相比，其驱动系统比较简单，工作频率也比较高。MOSFET还具有热稳定性好、安全工作区大等优点。
功率场效应晶体管在提高击穿电压和增大电流方面进展较慢，淮安台达变频器过流维修：C200故在变频器中的应用尚不能居主导地位。
2、 绝缘栅双极晶体管（IGBT）IGBT是MOSFET和GTR相结合的产物，是栅极为绝缘栅结构（MOS结构）的晶体管，它的三个极分别是集电极C、发射极E和栅极G。
工作特点是，控制部分与场效应晶体管相同，控制信号为电压信号Uge淮安台达变频器过流维修：C200,输入阻抗很高，栅极电流I≈0，故驱动功率很小。而起主电路部分则与GTR相同，工作电流为集电极电流I。
至今，IGBT的击穿电压也已做到1200V，淮安台达变频器过流维修：C200
集电极普通大饱和电流已超过1500A，淮安台达变频器过流维修：C200由IGBT作为逆变器件的变频器容量已达到250KVA以上。
其工作频率可达20KHZ。由IGBT作为逆变器件的变频器的载波频率一般都在10KHZ以上，故电动机的电源波形比较平滑，基本无电磁噪声。
在新系列的中小容量变频器中，IGBT已处于普通优势的地位！
市场出现智能性模块，模块中包含了过电流、过电压、低电压、过热等保护，我也相信在今后的发展中能和大家一起学习，共同维护好我们的使命！$如果要正确的使用变频器, 必须认真地考虑散热的问题. ！！！变频器的故障率随温度升高而成指数的上升。使用寿命随温度升高而成指数的下降。淮安台达变频器过流维修：C200环境温度升高10度，变频器使用寿命减半。我们要重视散热问题啊！