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蚀刻或离子注入完成后,将进行光刻的Zui后一步,即光致抗蚀剂去除,以促进半导体器件制造的其他步骤。通常,在半导体器件的整个制造过程中,执行许多光刻工艺。生产复杂集成电路的过程可能需要多达50个光刻步骤,而生产薄膜所需的光刻步骤数量将更少。
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什么叫掩膜Zuii先人们从物理学的视角讨论一下mask究竟是什么全过程。在半导体设备中,很多集成ic加工工艺流程选用光刻技术,用以这种流程的图型“胶片照片”称之为掩膜(也称之为“掩模”),其功效是:在硅片上选中的地区中对1个不全透明的图型模版遮住,进而下边的浸蚀或外扩散将只危害选中的地区之外的地区。图象掩膜两者之间相近,用选中的图象、图型或物块,对解决的图象(所有或部分)开展挡住,来操纵图象处理的地区或处理方式。-
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根据金属化全过程,在硅衬底上布局一层层仅数纳米技术厚的金属材料层。随后在这里层金属材料上覆上一层层光刻胶。这层光阻剂在曝i光(通常是紫外光)后能够被特殊水溶液(显影液)融解。使特殊的纳米越过光掩膜直射在光刻胶上,能够对光刻胶开展可选择性直射(曝i光)。随后应用前边提及的显影液,融解掉被直射的地区,那样,光掩模上的图型就展现在光刻胶上。一般还将根据风干对策,改进剩下一部分光刻胶的某些特性。所述流程进行后,就能够对衬底开展可选择性的刻蚀或离子注入全过程,未被融解的光刻胶将维护衬底在这种全过程中不被更改。
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